Mosfet mit integriertem feldeffektgleichrichter

Mosfet a redresseur a effet de champ integre

Mosfet with integrated field effect rectifier

Abstract

A modified MOSFET structure comprises an integrated field effect rectifier connected between the source and drain of the MOSFET to shunt current during switching of the MOSFET. The integrated FER provides faster switching of the MOSFET due to the absence of injected carriers during switching while also decreasing the level of EMI relative to discrete solutions. The integrated structure of the MOSFET and FER can be fabricated using N-, multi-epitaxial and supertrench technologies, including 0.25μm technology. Self-aligned processing can be used.
Structure MOSFET modifiée, comprenant un redresseur à effet de champ (FER) intégré connecté entre la source et le drain du MOSFET pour shunter le courant pendant la commutation du MOSFET. Le FER intégré assure une commutation plus rapide du MOSFET du fait de l'absence de porteurs de charge injectés pendant la commutation, et permet de réduire le niveau des parasites électromagnétiques (EMI) par rapport aux solutions discrètes. La structure intégrée du MOSFET et du FER peut être fabriquée à partir des technologies du type N-, multi-épitaxiale et à super-tranchées, notamment la technologie 0,25 μm. Un traitement à grille auto-alignée peut être utilisé.

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Patent Citations (4)

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NO-Patent Citations (1)

    Title
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