Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer n-halbleitenden Indiumsulfid-Dünnschicht

Abstract

Zur Herstellung von Indiumsulfid-Dünnschichten ist das so genannte "Sprüh-ILGAR-Verfahren" bekannt, welches aus einer Verfahrensphase I (Deposition eines festen Indium-Precursors am Substrat) und einer sequenziellen Verfahrensphase II (Ionenaustausch-Reaktion des Indium-Precursors mit Schwefelwasserstoffgas) besteht und durchgängig bei Atmosphärendruck arbeitet. Erfindungsgemäß ist zur weiteren Verbesserung von Sprüh-ILGAR unter Beibehaltung von dessen Vorteilen vorgesehen, dass in der Verfahrensphase I simultan ein CVD-Schritt mit einer Überströmung des Substrats (SU) durchgeführt wird, der zur zusätzlichen Deposition von reaktionsfähigem Indium auf dem Substrat (SU) führt. Dazu wird simultan eine solche Menge von Schwefelwasserstoff (H 2 S) zum gelösten oder gasförmigen Indium enthaltenden Precursor (PR In(g/fl) ) zugeführt, dass sich eine absolute Konzentration des Schwefelwasserstoffs (H 2 S) gleich oder weniger als 1 Vol% in einem Mischgebiet (MP) ergibt. In der Verfahrensphase I wird das Substrat (SU) auf eine Temperatur zwischen 100°C und 275°C geheizt, sodass keine störende Pulverbildung in der Gasphase auftreten kann. In speziellen Batch- oder Inline-Anordnungen werden sehr kompakte, homogene Indiumsulfid-Dünnschichten hergestellt, die besonders vorteilhaft als Pufferschichten in Solarzellen eingesetzt werden können.

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    Patent Citations (6)

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